Avance chino: Primer transistor GAAFET 2D de baja potencia del mundo

Un equipo de investigación de la Universidad de Pekín publicó en Nature, anunciando el primer transistor GAAFET bidimensional de baja potencia del mundo. Este transistor, basado en el nuevo material semiconductor 2D Bi₂O₂Se, supera a productos comparables de Intel, TSMC y Samsung. Este avance podría ayudar a China a superar a la industria de los chips, especialmente en el contexto de las sanciones tecnológicas de EE. UU. contra China.