Torque de Espín-Órbita Mejorado mediante el Efecto Hall Orbital para SOT-MRAM de Alta Densidad

Los investigadores mejoraron significativamente el rendimiento de los dispositivos de memoria de acceso aleatorio magnético de torque de espín-órbita (SOT-MRAM) aprovechando el efecto Hall orbital (OHE) mejorado de las capas de Ru, Nb y Cr en combinación con una capa ferromagnética [Co/Ni]3 magnetizada perpendicularmente. Los experimentos mostraron un aumento de ~30% en la eficiencia del torque similar a la amortiguación con una señal positiva para la capa OHE de Ru/Pt en comparación con el Pt puro. Esto resultó en una reducción de ~20% en la corriente de conmutación en más de 250 dispositivos y una reducción de >60% en la potencia de conmutación. Este trabajo allana el camino para dispositivos SOT-MRAM de próxima generación con un rendimiento mejorado para aplicaciones de memoria caché de alta densidad.