Universidad de Fudan logra un avance: Memoria flash de 400 picosegundos
2025-04-20
Investigadores de la Universidad de Fudan han desarrollado un dispositivo de memoria flash de 400 picosegundos, con una velocidad de programación sin precedentes de 25 mil millones de veces por segundo. Este avance tecnológico supera los límites de velocidad existentes en el almacenamiento de información, aprovechando la estructura de banda de Dirac bidimensional y las características de transporte balístico para la superinyección de carga. Se espera que esta innovación tenga aplicaciones significativas en modelos de IA ultrarrápidos, impulsando actualizaciones en la tecnología de almacenamiento y fortaleciendo el liderazgo de China en este campo.
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