السعة السالبة تتجاوز حاجز أداء ترانزستورات GaN
2025-07-31
اكتشف علماء في كاليفورنيا أن دمج مادة إلكترونية تُظهر خاصية غير عادية وهي السعة السالبة يمكن أن يساعد ترانزستورات نيتريد الغاليوم (GaN) عالية الطاقة على التغلب على اختناق الأداء. تشير الأبحاث إلى أن السعة السالبة تساعد في تجاوز حد فيزيائي يفرض عادةً مقايضات بين أداء الترانزستور في حالتي "تشغيل" و "إيقاف". تشير هذه الدراسة إلى أن السعة السالبة، التي تم دراستها على نطاق واسع في السيليكون، قد يكون لها تطبيقات أوسع نطاقًا مما كان يُعتقد سابقًا، مما قد يؤثر على إلكترونيات الطاقة GaN في محطات القاعدة 5G ومهايئات الطاقة المدمجة للهواتف الخلوية.