جهاز ذاكرة فلاش دون النانو ثانية قائم على مواد ثنائية الأبعاد: التصنيع والنمذجة

قام الباحثون بصنع جهاز ذاكرة فلاش دون النانو ثانية يعتمد على مواد ثنائية الأبعاد (2D) (WSe2، الجرافين، و hBN). وشملت عملية التصنيع تقنية الليثوغرافيا بواسطة حزمة الإلكترونات، وترسيب الطبقة الذرية، والتقشير الميكانيكي. وتميزت بنية الجهاز وأدائه باستخدام مجهر القوة الذرية، ومجهر الإلكترونات النافذ، وطيف الطاقة المشتت. وتم تطوير نموذج شبه ثنائي الأبعاد لمحاكاة الخصائص الكهربائية للجهاز، وتم التحقق من صحته تجريبياً. يوفر هذا البحث طرقًا جديدة لتطوير أجهزة ذاكرة فلاش عالية الأداء ومنخفضة الطاقة للجيل القادم.