グラフェン相互接続がムーアの法則を救う可能性
2024-12-14
カリフォルニア州に拠点を置くスタートアップ企業Destination 2Dは、グラフェンをチップ製造に統合する上で長年課題となってきた2つの問題、高温堆積と低いキャリア密度を解決したと主張しています。彼らは、従来のCMOSプロセスと互換性のある300℃でのグラフェン相互接続の堆積技術を開発しました。さらに、インターカレーションドーピングを用いることで、銅の100倍のグラフェン電流密度を実現しました。この技術は、ムーアの法則を延長し、次世代の半導体技術をサポートすると期待されています。