IBMのブレークスルー：将来のCMOSノードに向けた銅配線を超える技術
2024-12-16
IBMの研究者たちは、2024年のIEDM会議で、バックエンド・オブ・ライン（BEOL）インターコネクト技術に関する2つの論文を発表し、高度なインターコネクトソリューションにおける進歩を示しました。最初の論文は、銅インターコネクト技術の改良と将来の方向性を検討したもので、2番目の論文（Samsungとの共著）は、高度な低誘電率材料（ALK）とロジウム（Rh）を用いた銅を超える代替技術を紹介しました。この新しい技術は、抵抗と静電容量を削減し、24nm以下のノードで従来の銅インターコネクトが直面する信頼性問題に対処することで、性能と信頼性を大幅に向上させます。この研究は、将来のCMOSノードチップ製造への道を切り開き、高性能・低消費電力の論理集積回路の継続的な開発に不可欠なサポートを提供します。