극저온이 5nm SRAM 어레이 크기와 성능에 미치는 영향

새로운 연구는 극저온(최대 10K)이 5nm FinFET SRAM 어레이의 크기와 성능에 미치는 영향을 조사합니다. 연구원들은 극저온 환경에서 어레이의 최대 크기는 누설 전류가 아니라 워드라인 기생 효과에 의해 제한되며, 성능은 비트라인과 워드라인 기생 효과에 의해 결정된다는 것을 발견했습니다. 이는 미래의 저전력 고성능 컴퓨팅에 중요한 의미를 지니며, 극저온 환경에서 SRAM 어레이를 최적화하는 데 귀중한 통찰력을 제공합니다.