La capacité négative franchit la barrière de performance des transistors GaN

Des scientifiques californiens ont découvert que l'intégration d'un matériau électronique présentant la propriété inhabituelle de capacité négative peut aider les transistors au nitrure de gallium (GaN) haute puissance à surmonter un goulot d'étranglement de performance. Des recherches suggèrent que la capacité négative contribue à contourner une limite physique qui impose généralement des compromis entre les performances d'un transistor dans les états « marche » et « arrêt ». Cette recherche indique que la capacité négative, largement étudiée dans le silicium, pourrait avoir des applications plus larges qu'on ne le pensait auparavant, impactant potentiellement l'électronique de puissance GaN dans les stations de base 5G et les adaptateurs d'alimentation compacts pour téléphones cellulaires.