L'université Fudan réalise une percée : Mémoire flash de 400 picosecondes

Des chercheurs de l'université Fudan ont développé un dispositif de mémoire flash de 400 picosecondes, avec une vitesse de programmation sans précédent de 25 milliards de fois par seconde. Cette avancée technologique dépasse les limites de vitesse existantes dans le stockage d'informations, en exploitant la structure de bande de Dirac bidimensionnelle et les caractéristiques de transport balistique pour la superinjection de charge. On s'attend à ce que cette innovation ait des applications significatives dans les modèles d'IA ultrarapides, stimulant les mises à niveau de la technologie de stockage et renforçant le leadership de la Chine dans ce domaine.