궤도 홀 효과를 이용한 스핀 궤도 토크 향상으로 고밀도 SOT-MRAM 구현
2025-03-01
연구원들은 수직 자화된 [Co/Ni]3 강자성층과 Ru, Nb, Cr 층의 향상된 궤도 홀 효과(OHE)를 결합하여 스핀 궤도 토크(SOT) 자기 임의 접근 메모리(MRAM) 소자의 성능을 크게 향상시켰습니다. 실험 결과, Ru/Pt OHE 층은 순수 Pt 층과 비교하여 감쇠형 토크 효율이 약 30% 향상되었고, 250개 이상의 소자에서 스위칭 전류가 약 20% 감소하고 스위칭 전력이 60% 이상 감소했습니다. 이 연구는 고밀도 캐시 메모리 응용 분야에서 차세대 SOT-MRAM 소자 성능 향상의 길을 열었습니다.