L'Université Fudan développe une mémoire flash ultrarapide : PoX

Une équipe de recherche de l'Université Fudan a créé PoX, une mémoire flash non volatile avec une vitesse de programmation de bit unique sans précédent de 400 picosecondes, soit environ 25 milliards d'opérations par seconde. Publiée dans Nature, cette avancée propulse la mémoire non volatile à des vitesses auparavant réservées à la mémoire volatile, établissant une nouvelle référence pour le matériel d'IA. En remplaçant les canaux en silicium par du graphène Dirac 2D et en exploitant le transport balistique de charge, l'équipe a surmonté les limitations de vitesse de la mémoire flash traditionnelle. Les applications potentielles de PoX incluent l'élimination des caches SRAM haute vitesse dans les puces d'IA, réduisant la consommation d'énergie et la taille de la puce, et permettant aux moteurs de bases de données de stocker des ensembles de travail complets dans la RAM persistante. Cette innovation pourrait révolutionner la technologie de stockage et ouvrir de nouveaux scénarios d'application.