中国のブレイクスルー：世界初の低電力2D GAAFETトランジスタ

北京大学の研究チームがNature誌に発表した論文で、世界初の低電力2次元GAAFETトランジスタの開発を発表しました。このトランジスタは、新しい2次元半導体材料Bi₂O₂Seに基づいており、Intel、TSMC、Samsungなどの同等製品を凌駕する性能を備えています。この画期的な技術は、特に米国の対中技術封鎖という背景において、中国のチップ産業における飛躍的進歩につながる可能性があります。