画期的な非相反光メモリ：ナノ秒書き込み速度、数十億サイクルの劣化なし

研究者らは、磁気光学効果と熱光学効果を利用して、超高速ナノ秒書き込み速度を実現する、革新的な非相反光メモリを開発しました。このメモリは、集積電磁石を備えたマイクロリング共振器（MRR）に基づいており、電流制御によって磁場を変化させ、光伝送を調整します。実験では、500 Mbpsおよび1 Gbpsでの明確なアイダイアグラムと、24億回の書き込み/消去サイクル後も安定した動作が示され、優れた信頼性と耐久性が実証されました。この画期的な成果は、高性能光メモリの革命をもたらし、将来の高密度、低消費電力情報処理システムに新たな可能性を提供します。