軌道ホール効果によるスピン軌道トルクの向上、高密度SOT-MRAMを実現

研究者らは、垂直磁化された[Co/Ni]3強磁性層とRu、Nb、Cr層の向上した軌道ホール効果(OHE)を組み合わせることで、スピン軌道トルク(SOT)磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)デバイスの性能を大幅に向上させました。実験の結果、Ru/Pt OHE層は純粋なPt層と比較して、減衰型トルク効率が約30%向上し、250個を超えるデバイスでスイッチング電流が約20%減少、スイッチングパワーが60%以上減少しました。この研究は、高密度キャッシュメモリ用途における次世代SOT-MRAMデバイスの性能向上への道を拓きます。