2次元材料に基づくサブナノ秒フラッシュメモリデバイス：製造とモデリング

研究者らは、二次元（2D）材料（WSe2、グラフェン、hBN）に基づくサブナノ秒フラッシュメモリデバイスを作製しました。製造プロセスには、電子ビームリソグラフィ、原子層堆積、機械的剥離などが含まれていました。デバイスの構造と性能は、原子間力顕微鏡、透過型電子顕微鏡、エネルギー分散型X線分光法によって特性評価されました。デバイスの電気的特性をシミュレートするための準2次元モデルが開発され、その有効性が実験的に検証されました。この研究は、高性能で低消費電力の次世代フラッシュメモリデバイスの開発のための新たな道を提供します。