复旦大学研发超高速非易失性闪存:PoX

2025-04-19
复旦大学研发超高速非易失性闪存:PoX

复旦大学团队研发出名为PoX的超高速非易失性闪存,其单比特编程速度达到了惊人的400皮秒,约每秒250亿次操作。这项发表在《自然》杂志的研究成果,将非易失性存储器的速度提升到了以往只有高速易失性存储器才能达到的水平,为数据密集型AI硬件设定了新的标杆。PoX通过使用二维狄拉克石墨烯取代硅通道并利用其弹道电荷传输,克服了传统闪存写入速度慢的瓶颈。这项突破有望彻底改变存储技术,推动产业升级,并开辟新的应用场景,例如消除AI芯片中单独的高速SRAM缓存,降低能耗和面积,以及支持数据库引擎将整个工作集保存在持久性RAM中。