Memória Flash Ultra-Rápida Desenvolvida na Universidade de Fudan: PoX
Uma equipe de pesquisa da Universidade de Fudan desenvolveu o PoX, uma memória flash não volátil com uma velocidade de programação de bit único sem precedentes de 400 picosegundos — aproximadamente 25 bilhões de operações por segundo. Publicado na Nature, este avanço impulsiona a memória não volátil para velocidades anteriormente exclusivas da memória volátil, estabelecendo um novo padrão para hardware de IA. Ao substituir canais de silício por grafeno Dirac 2D e aproveitar o transporte de carga balística, a equipe superou as limitações de velocidade da memória flash tradicional. As aplicações potenciais do PoX incluem a eliminação de caches SRAM de alta velocidade em chips de IA, reduzindo o consumo de energia e o tamanho do chip, e permitindo que os mecanismos de banco de dados armazenem conjuntos de trabalho inteiros em RAM persistente. Esta inovação pode remodelar a tecnologia de armazenamento e abrir novos cenários de aplicação.