Universidad de Fudan Desarrolla Memoria Flash ultrarrápida: PoX
Un equipo de investigación de la Universidad de Fudan ha creado PoX, una memoria flash no volátil con una velocidad de programación de bits única sin precedentes de 400 picosegundos, aproximadamente 25 mil millones de operaciones por segundo. Publicado en Nature, este avance impulsa la memoria no volátil a velocidades antes exclusivas de la memoria volátil, estableciendo un nuevo estándar para el hardware de IA. Al reemplazar los canales de silicio con grafeno Dirac 2D y aprovechar el transporte de carga balística, el equipo superó las limitaciones de velocidad de la memoria flash tradicional. Las aplicaciones potenciales de PoX incluyen la eliminación de cachés SRAM de alta velocidad en chips de IA, reduciendo el consumo de energía y el tamaño del chip, y permitiendo que los motores de bases de datos almacenen conjuntos de trabajo completos en RAM persistente. Esta innovación podría remodelar la tecnología de almacenamiento y abrir nuevos escenarios de aplicación.