Fudan-Universität entwickelt ultraschnelles Flash-Speicher: PoX
Ein Forschungsteam der Fudan-Universität hat PoX entwickelt, einen nichtflüchtigen Flash-Speicher mit einer beispiellosen Einzelbit-Programmiergeschwindigkeit von 400 Pikosekunden – etwa 25 Milliarden Operationen pro Sekunde. Veröffentlicht in Nature, katapultiert dieser Durchbruch den nichtflüchtigen Speicher in Geschwindigkeitsbereiche, die bisher nur flüchtigen Speichern vorbehalten waren, und setzt einen neuen Maßstab für KI-Hardware. Durch den Ersatz von Siliziumkanälen durch 2D-Dirac-Graphen und die Nutzung des ballistischen Ladungstransports überwand das Team die Geschwindigkeitsbeschränkungen herkömmlicher Flash-Speicher. Potenzielle Anwendungen von PoX umfassen die Eliminierung separater Hochgeschwindigkeits-SRAM-Caches in KI-Chips, wodurch Energieverbrauch und Fläche reduziert werden, sowie die Ermöglichung von Datenbank-Engines, die gesamte Arbeitsmengen im persistenten RAM speichern. Diese Innovation könnte die Speichertechnologie revolutionieren und neue Anwendungsszenarien eröffnen.