복단대학교, 초고속 플래시 메모리 PoX 개발
2025-04-19
복단대학교 연구팀이 PoX라는 초고속 비휘발성 플래시 메모리를 개발했습니다. 단일 비트 프로그래밍 속도는 놀라운 400피코초로, 초당 약 250억 회의 연산이 가능합니다. Nature지에 게재된 이 성과는 비휘발성 메모리의 속도를 기존 고속 휘발성 메모리 수준으로 끌어올려 데이터 집약적인 AI 하드웨어의 새로운 기준을 제시했습니다. 실리콘 채널을 2차원 디락 그래핀으로 대체하고, 탄도 전하 수송을 활용함으로써 기존 플래시 메모리의 쓰기 속도 병목 현상을 극복했습니다. PoX는 AI 칩에서 고속 SRAM 캐시 제거, 저전력화, 소형화, 그리고 데이터베이스 엔진을 통한 영속적 RAM에 대한 작업 세트 저장 등을 가능하게 할 수 있습니다. 이 혁신적인 기술은 스토리지 기술의 혁신과 새로운 응용 분야 개척으로 이어질 것입니다.
기술
비휘발성 플래시 메모리