Universidade de Fudan atinge marco: Memória flash de 400 picossegundos
2025-04-20
Pesquisadores da Universidade de Fudan desenvolveram um dispositivo de memória flash de 400 picossegundos, com uma velocidade de programação sem precedentes de 25 bilhões de vezes por segundo. Essa tecnologia revolucionária supera os limites de velocidade existentes no armazenamento de informações, aproveitando a estrutura de banda de Dirac bidimensional e as características de transporte balístico para a superinjeção de carga. Espera-se que essa inovação tenha aplicações significativas em modelos de IA ultrarrápidos, impulsionando atualizações na tecnologia de armazenamento e fortalecendo a liderança da China nesse setor.