復旦大学、画期的な400ピコ秒フラッシュメモリを開発
2025-04-20
復旦大学の研究者らは、前例のない毎秒250億回というプログラミング速度を誇る、400ピコ秒レベルのフラッシュメモリデバイスを開発しました。この技術革新は、二次元ディラックバンド構造と弾道輸送特性を利用して電荷の超注入を実現することで、情報記憶における速度限界を突破しました。この技術は、超高速AIモデルへの応用が期待されており、記憶技術のアップグレードと中国の関連分野におけるリーダーシップ強化に貢献すると考えられます。