복단대학교, 400피코초 플래시 메모리 개발로 돌파구 마련
2025-04-20
복단대학교 연구팀은 전례 없는 초당 250억 회의 프로그래밍 속도를 자랑하는 400피코초급 플래시 메모리 장치를 개발했습니다. 이 기술 혁신은 2차원 디락 밴드 구조와 탄도 수송 특성을 이용하여 전하의 초주입을 실현함으로써 정보 저장 속도의 한계를 돌파했습니다. 초고속 AI 모델에의 응용이 기대되며, 메모리 기술 업그레이드와 중국이 관련 분야에서의 리더십 강화에 기여할 것으로 예상됩니다.