中国高校突破！世界首个二维低功耗GAAFET晶体管问世
2025-05-04
北京大学研究团队在《自然》杂志发表论文，宣布研制出全球首个二维低功耗GAAFET晶体管。该晶体管基于新型二维半导体材料Bi₂O₂Se，性能超越英特尔、台积电和三星等公司的同类产品。这项突破有望帮助中国在芯片领域实现弯道超车，尤其是在美国对中国科技封锁的大背景下，更显其战略意义。
北京大学研究团队在《自然》杂志发表论文，宣布研制出全球首个二维低功耗GAAFET晶体管。该晶体管基于新型二维半导体材料Bi₂O₂Se，性能超越英特尔、台积电和三星等公司的同类产品。这项突破有望帮助中国在芯片领域实现弯道超车，尤其是在美国对中国科技封锁的大背景下，更显其战略意义。