Avanço chinês: Primeiro transistor GAAFET 2D de baixa potência do mundo
2025-05-04
Uma equipe de pesquisa da Universidade de Pequim publicou na Nature, anunciando o primeiro transistor GAAFET bidimensional de baixa potência do mundo. Este transistor, baseado no novo material semicondutor 2D Bi₂O₂Se, supera produtos comparáveis da Intel, TSMC e Samsung. Essa descoberta pode ajudar a China a ultrapassar a indústria de chips, especialmente no contexto das sanções tecnológicas dos EUA contra a China.