Percée chinoise : Premier transistor GAAFET 2D basse consommation au monde
2025-05-04
Une équipe de recherche de l’université de Pékin a publié dans Nature l’annonce du premier transistor GAAFET bidimensionnel basse consommation au monde. Ce transistor, basé sur le nouveau matériau semi-conducteur 2D Bi₂O₂Se, surpasse les produits comparables d’Intel, TSMC et Samsung. Cette percée pourrait aider la Chine à dépasser l’industrie des puces, notamment dans le contexte des sanctions technologiques américaines contre la Chine.