중국의 돌파구: 세계 최초의 저전력 2D GAAFET 트랜지스터
2025-05-04
베이징대학교 연구팀이 Nature지에 발표한 논문에서 세계 최초의 저전력 2차원 GAAFET 트랜지스터 개발을 발표했습니다. 이 트랜지스터는 새로운 2차원 반도체 소재 Bi₂O₂Se를 기반으로 하며, Intel, TSMC, Samsung 등의 유사 제품을 능가하는 성능을 갖추고 있습니다. 이 획기적인 기술은 특히 미국의 대중 기술 제재라는 배경 속에서 중국 반도체 산업의 비약적인 발전으로 이어질 가능성이 있습니다.