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3D堆叠CMOS技术将摩尔定律推向新高度

2024-09-24

为了延续摩尔定律，半导体行业一直在不断缩小晶体管尺寸。随着平面晶体管和FinFET技术的逐渐成熟，3D堆叠CMOS技术应运而生。该技术将NMOS和PMOS晶体管垂直堆叠，有效地缩小了电路面积，并提升了性能。英特尔计划在2024年推出RibbonFET和PowerVia技术，为3D堆叠CMOS技术的商业化铺平道路。

(spectrum.ieee.org)
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未分类 CMOS 晶体管