海力士推出 321 层 NAND 闪存
2024-11-25
海力士开始量产全球首款 321 层 NAND 闪存，这是一款基于三层单元的 4D 内存，容量为 1Tb。继去年 6 月推出 238 层 NAND 后，海力士通过堆叠技术的突破，成为全球首家超过 300 层的 tNAND 供应商。与 238 层器件相比，321 层器件写入时间缩短了 12%，读取时间缩短了 13%。该公司计划从明年上半年开始向客户提供 321 层产品。通过采用“3 塞”工艺技术，超过 300 层的堆叠成为现实。该工艺在三次塞孔工艺完成后，通过优化的后续工艺连接三个塞孔。为此，海力士开发了一种低应力材料，并引入了自动校正塞孔间对准的技术。通过在 321 层产品上采用与 238 层 NAND 相同的开发平台，该公司还将生产率提高了 59%。