负电容突破GaN晶体管性能瓶颈
2025-07-31
加州科学家发现，集成一种具有负电容这种奇特属性的电子材料，可以帮助高功率氮化镓（GaN）晶体管突破性能瓶颈。研究表明，负电容有助于规避一种物理极限，该极限通常会导致晶体管“导通”状态和“截止”状态性能之间的权衡。这项研究表明，在硅中得到广泛研究的负电容可能具有比以前认识到的更广泛的应用，这项技术有望应用于5G基站和手机紧凑型电源适配器等GaN电力电子设备。
加州科学家发现，集成一种具有负电容这种奇特属性的电子材料，可以帮助高功率氮化镓（GaN）晶体管突破性能瓶颈。研究表明，负电容有助于规避一种物理极限，该极限通常会导致晶体管“导通”状态和“截止”状态性能之间的权衡。这项研究表明，在硅中得到广泛研究的负电容可能具有比以前认识到的更广泛的应用，这项技术有望应用于5G基站和手机紧凑型电源适配器等GaN电力电子设备。