La Capacitancia Negativa Rompe la Barrera de Rendimiento de los Transistores GaN
Científicos en California han descubierto que la integración de un material electrónico que exhibe la propiedad inusual de capacitancia negativa puede ayudar a los transistores de nitruro de galio (GaN) de alta potencia a superar un cuello de botella de rendimiento. Las investigaciones sugieren que la capacitancia negativa ayuda a sortear un límite físico que normalmente impone compensaciones entre el rendimiento de un transistor en los estados 'activado' y 'desactivado'. Esta investigación indica que la capacitancia negativa, ampliamente estudiada en silicio, puede tener aplicaciones más amplias de lo que se pensaba anteriormente, impactando potencialmente la electrónica de potencia GaN en estaciones base 5G y adaptadores de energía compactos para teléfonos celulares.