Negative Kapazität durchbricht Leistungsbarriere von GaN-Transistoren
2025-07-31
Wissenschaftler in Kalifornien haben entdeckt, dass die Integration eines elektronischen Materials mit der ungewöhnlichen Eigenschaft negativer Kapazität dazu beitragen kann, Hochleistungs-Galliumnitrid (GaN)-Transistoren eine Leistungsbarriere zu überwinden. Forschungen deuten darauf hin, dass negative Kapazität hilft, eine physikalische Grenze zu umgehen, die typischerweise Kompromisse zwischen der Leistung eines Transistors im „Ein“- und „Aus“-Zustand erzwingt. Diese Forschung zeigt, dass negative Kapazität, die in Silizium umfassend untersucht wurde, breitere Anwendungen haben könnte als bisher angenommen und potenziell GaN-Leistungselektronik in 5G-Basisstationen und kompakten Handy-Netzteilen beeinflusst.