台积电N2工艺：纳米片晶体管开启芯片新时代
2024-12-15
台积电在IEEE国际电子器件会议上展示了其下一代N2（2纳米）工艺，这是其首次采用纳米片晶体管架构。相比N3工艺，N2工艺速度提升15%，能效提升30%，密度提升15%。这种新型架构具有更高的灵活性，允许在同一芯片上制造不同宽度的纳米片，从而优化不同逻辑单元的性能，尤其在SRAM方面表现突出。英特尔的研究则进一步证明了纳米片架构的可扩展性，他们制造出了6纳米栅长的高性能晶体管，为未来芯片技术发展指明了方向，预示着摩尔定律的延续。