科学家发现二维材料中的单原子缺陷可在室温下存储量子信息 (phys.org)

曼彻斯特大学和剑桥大学的科学家发现，二维材料六方氮化硼（hBN）中的“单原子缺陷”可在室温下存储量子信息长达数微秒。这一发现表明二维材料在推进量子技术方面具有巨大潜力。研究人员发现，hBN材料中的缺陷能够捕获电子，并利用光在室温下控制和操纵电子自旋，这是以前从未实现过的。