原子级晶体缺陷：革命性内存技术突破
2025-02-14
芝加哥大学的研究人员利用晶体缺陷的特性，实现了经典计算机内存效率的重大突破。他们通过操纵晶体结构中的原子级缺陷，创造出由单个缺失原子组成的内存单元，每个单元可以存储一个比特。这项技术有望将数TB的数据压缩到一立方毫米的材料中，彻底改变数据存储技术。这项研究融合了固态物理学和辐射剂量学的知识，为经典非易失性存储器提供了前所未有的高密度存储方案。
芝加哥大学的研究人员利用晶体缺陷的特性，实现了经典计算机内存效率的重大突破。他们通过操纵晶体结构中的原子级缺陷，创造出由单个缺失原子组成的内存单元，每个单元可以存储一个比特。这项技术有望将数TB的数据压缩到一立方毫米的材料中，彻底改变数据存储技术。这项研究融合了固态物理学和辐射剂量学的知识，为经典非易失性存储器提供了前所未有的高密度存储方案。