Revolucionando a Memória: Defeitos de Cristal em Escala Atômica Desbloqueiam Novo Potencial de Armazenamento

2025-02-14
Revolucionando a Memória: Defeitos de Cristal em Escala Atômica Desbloqueiam Novo Potencial de Armazenamento

Pesquisadores da Universidade de Chicago alcançaram um avanço na eficiência da memória de computadores clássicos, utilizando defeitos de cristal. Eles criaram células de memória a partir de átomos únicos faltantes em uma estrutura de cristal, cada uma capaz de armazenar um bit. Essa abordagem inovadora promete terabytes de dados comprimidos em um milímetro cúbico, revolucionando o armazenamento de dados. A pesquisa integra física de estado sólido e dosimetria de radiação, oferecendo armazenamento de alta densidade sem precedentes para memória não volátil clássica.