メモリ革命：原子レベルの結晶欠陥が新たな記憶容量の可能性を開く

シカゴ大学の研究者らは、結晶欠陥を利用することで、古典的コンピューターメモリの効率を飛躍的に向上させることに成功しました。彼らは、結晶構造内の単一の欠損原子からメモリセルを作成し、それぞれが1ビットを記憶できます。この革新的なアプローチは、テラバイトのデータを1立方ミリメートルに圧縮することを約束し、データストレージに革命を起こします。この研究は、固体物理学と放射線線量測定を統合し、従来の不揮発性メモリに前例のない高密度ストレージを提供します。