Capacitância Negativa Rompe Barreira de Desempenho de Transistores GaN

Cientistas na Califórnia descobriram que a integração de um material eletrônico que exibe a propriedade incomum de capacitância negativa pode ajudar transistores de nitreto de gálio (GaN) de alta potência a superar um gargalo de desempenho. Pesquisas sugerem que a capacitância negativa ajuda a contornar um limite físico que normalmente impõe compensações entre o desempenho de um transistor nos estados 'ligado' e 'desligado'. Esta pesquisa indica que a capacitância negativa, amplamente estudada em silício, pode ter aplicações mais amplas do que se pensava anteriormente, potencialmente impactando a eletrônica de potência GaN em estações base 5G e adaptadores de energia compactos para telefones celulares.