Dispositivo de memória flash sub-nanossegundo baseado em materiais 2D: Fabricação e modelagem

Pesquisadores fabricaram um dispositivo de memória flash sub-nanossegundo baseado em materiais bidimensionais (2D) (WSe2, grafeno e hBN). O processo de fabricação envolveu litografia por feixe de elétrons, deposição em camada atômica e esfoliação mecânica. A estrutura e o desempenho do dispositivo foram caracterizados usando microscopia de força atômica, microscopia eletrônica de transmissão e espectroscopia de dispersão de energia. Um modelo quase 2D foi desenvolvido para simular as características elétricas do dispositivo, e sua validade foi verificada experimentalmente. Esta pesquisa fornece novas vias para o desenvolvimento de dispositivos de memória flash de próxima geração de alto desempenho e baixo consumo de energia.