Dispositivo de memoria flash sub-nanosegundo basado en materiales 2D: Fabricación y modelado
Investigadores fabricaron un dispositivo de memoria flash sub-nanosegundo basado en materiales bidimensionales (2D) (WSe2, grafeno y hBN). El proceso de fabricación incluyó litografía por haz de electrones, deposición por capas atómicas y exfoliación mecánica. La estructura y el rendimiento del dispositivo se caracterizaron mediante microscopía de fuerza atómica, microscopía electrónica de transmisión y espectroscopia de dispersión de energía. Se desarrolló un modelo cuasi-2D para simular las características eléctricas del dispositivo, y su validez se verificó experimentalmente. Esta investigación proporciona nuevas vías para el desarrollo de dispositivos de memoria flash de próxima generación de alto rendimiento y bajo consumo de energía.