Dispositif de mémoire flash sub-nanoseconde basé sur des matériaux 2D : fabrication et modélisation
Des chercheurs ont fabriqué un dispositif de mémoire flash sub-nanoseconde basé sur des matériaux bidimensionnels (2D) (WSe2, graphène et hBN). Le processus de fabrication a impliqué la lithographie par faisceau d'électrons, la déposition en couches atomiques et l'exfoliation mécanique. La structure et les performances du dispositif ont été caractérisées à l'aide de la microscopie à force atomique, de la microscopie électronique en transmission et de la spectroscopie de dispersion d'énergie. Un modèle quasi-2D a été développé pour simuler les caractéristiques électriques du dispositif, et sa validité a été vérifiée expérimentalement. Cette recherche ouvre de nouvelles voies pour le développement de dispositifs de mémoire flash de nouvelle génération hautes performances et basse consommation.