超导量子比特芯片的精细制造工艺
2025-07-12
本文详细描述了一种超导量子比特芯片的制造过程，该过程改进了现有工艺，提升了可重复性。工艺包括：使用6英寸硅片作为衬底，溅射沉积200nm厚的铌薄膜，光刻和等离子体刻蚀工艺图案化铌薄膜，电子束曝光制备约瑟夫森结，铝薄膜蒸发沉积形成约瑟夫森结，最后进行切割和剥离。文章还详细介绍了用于量子比特表征和测量的实验装置，包括低温测量系统和信号处理链路。最终制备的约瑟夫森结的临界电流小于预期，导致EJ/EC比偏低。