极低温下5nm SRAM阵列尺寸和性能的影响
2025-01-24
一项新的研究揭示了极低温（低至10K）对5nm FinFET SRAM阵列尺寸和性能的影响。研究人员发现，在极低温下，SRAM阵列的最大尺寸受字线寄生效应而非漏电流限制，其性能受位线和字线寄生效应支配。这项研究对未来低功耗高性能计算具有重要意义，为优化极低温环境下的SRAM阵列提供了宝贵的参考。
一项新的研究揭示了极低温（低至10K）对5nm FinFET SRAM阵列尺寸和性能的影响。研究人员发现，在极低温下，SRAM阵列的最大尺寸受字线寄生效应而非漏电流限制，其性能受位线和字线寄生效应支配。这项研究对未来低功耗高性能计算具有重要意义，为优化极低温环境下的SRAM阵列提供了宝贵的参考。