Torque de Spin-Órbita Aprimorado por Efeito Hall Orbital para SOT-MRAM de Alta Densidade
Pesquisadores melhoraram significativamente o desempenho de dispositivos de memória de acesso aleatório magnético de torque de spin-órbita (SOT-MRAM) ao aproveitar o efeito Hall orbital (OHE) aprimorado de camadas de Ru, Nb e Cr em combinação com uma camada ferromagnética [Co/Ni]3 magnetizada perpendicularmente. Experimentos mostraram um aumento de ~30% na eficiência de torque semelhante ao amortecimento com sinal positivo para a camada OHE de Ru/Pt em comparação com o Pt puro. Isso resultou em uma redução de ~20% na corrente de comutação em mais de 250 dispositivos e uma redução de >60% na potência de comutação. Este trabalho prepara o caminho para dispositivos SOT-MRAM de próxima geração com desempenho aprimorado para aplicações de memória cache de alta densidade.