Couple Spin-Orbite Amélioré par l'Effet Hall Orbital pour SOT-MRAM Haute Densité
Des chercheurs ont considérablement amélioré les performances des dispositifs de mémoire à accès aléatoire magnétique à couple spin-orbite (SOT-MRAM) en exploitant l'effet Hall orbital (OHE) amélioré des couches de Ru, Nb et Cr en combinaison avec une couche ferromagnétique [Co/Ni]3 magnétisée perpendiculairement. Les expériences ont montré une augmentation d'environ 30 % de l'efficacité du couple de type amortissement avec un signe positif pour la couche OHE Ru/Pt par rapport au Pt pur. Cela a entraîné une réduction d'environ 20 % du courant de commutation sur plus de 250 dispositifs et une réduction de plus de 60 % de la puissance de commutation. Ce travail ouvre la voie à des dispositifs SOT-MRAM de nouvelle génération offrant des performances améliorées pour les applications de mémoire cache haute densité.