عزم دوران مدارى محسّن عبر تأثير هول المدارى لـ SOT-MRAM عالية الكثافة
2025-03-01
حسّن الباحثون أداء أجهزة ذاكرة الوصول العشوائى المغناطيسية بعزم دوران المدارى (SOT-MRAM) بشكل ملحوظ من خلال الاستفادة من تأثير هول المدارى (OHE) المحسّن لطبقات Ru و Nb و Cr بالإضافة إلى طبقة مغناطيسية حديدية [Co/Ni]3 مغناطيسية عمودياً. أظهرت التجارب زيادة بنسبة 30% تقريبًا في كفاءة عزم الدوران الشبيه بالتباطؤ مع إشارة موجبة لطبقة OHE Ru/Pt مقارنة بـ Pt النقي. أدى ذلك إلى انخفاض بنسبة 20% تقريبًا في تيار التبديل عبر أكثر من 250 جهازًا وانخفاض بنسبة تزيد عن 60% في قوة التبديل. يمهد هذا العمل الطريق لأجهزة SOT-MRAM من الجيل التالي ذات أداء محسّن لتطبيقات ذاكرة التخزين المؤقت عالية الكثافة.