NAND闪存目标1000层

芯片行业正在努力将3D NAND闪存的堆叠层数从200层增加到800层甚至更多，以满足不断增长的内存需求。更高的层数带来了新的可靠性挑战，尤其是在高深宽比蚀刻和沉积方面。除了增加层数，还可以通过横向缩放、逻辑缩放（例如，增加每个单元的比特数，如从QLC到PLC甚至HLC）以及新的单元架构（如YMTC的字符串堆叠）来提高容量。改进工艺，例如ACM Research的晶圆旋转沉积技术和Brewer Science的新型硬掩膜材料，有助于提高平面度和蚀刻均匀性。单晶通道和混合键合等其他技术也正在开发中，以提高性能和解决高深宽比蚀刻的限制。