利用轨道霍尔效应增强自旋轨道矩，实现高密度SOT-MRAM

研究人员通过在垂直磁化[Co/Ni]3铁磁层中结合Ru、Nb和Cr等材料的轨道霍尔效应(OHE)，显著提高了自旋轨道矩(SOT)磁随机存取存储器(MRAM)器件的性能。实验结果表明，Ru/Pt OHE层相比纯Pt层，阻尼型扭矩效率提高了约30%，致使超过250个器件的开关电流降低了约20%，开关功率降低了超过60%。这项研究为高密度缓存存储器应用中的下一代SOT-MRAM器件性能提升提供了新的途径。