基于二维材料的亚纳秒闪存器件的制备与建模

研究人员制备了一种基于二维材料（WSe2、石墨烯和hBN）的亚纳秒闪存器件。器件制备过程包括电子束光刻、原子层沉积和机械剥离等技术。研究人员利用原子力显微镜、透射电子显微镜和能量色散谱仪等表征手段对器件的结构和性能进行了表征。此外，他们还建立了一个准二维模型来模拟器件的电学特性，并通过实验验证了模型的有效性。该研究为开发高性能、低功耗的下一代闪存器件提供了新的思路。